Одной из главных проблем транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе
нитрида галлия, препятствующих их развитию, является эффект саморазогрева. Неравномерное
распределение рассеиваемой мощности и повышение средней температуры приводят к появлению
вблизи канала области с очень высокой температурой и деградации прибора. Среди перспективных
решений, направленных на снижение влияния эффекта саморазогрева, стоит отметить использование
теплоотводящих элементов на основе двумерных материалов с высокой теплопроводностью, таких как
графен и гексагональный нитрид бора. Недостатком графенового теплоотводящего элемента является
его высокая электрическая проводимость, что ограничивает область его возможного расположения.
В данной работе показано, что малое расстояние между затвором и слоями графена приводит
к преждевременному пробою, вызванному лавинообразной генерацией носителей заряда.