Дата публикации: 2017

Дата публикации в реестре: 2020-02-28T13:10:36Z

Аннотация:

Использование GA в качестве сурфактанта для улучшения структурного совершенства слоев ALN и ALGAN, выращенных аммиачной МЛЭ / В. В. Мамаев [и др.] // Вестник БГТУ им. В. Г. Шухова. - 2017. - №1. - С. 126-129.

Представлены результаты выращивания слоев AlN методом высокотемпературной аммиачной МЛЭ с использованием Ga в качестве сурфактанта. Основными параметрами влияющими на кинетику роста и дефектообразование являются эффективные потоки прекурсоров и сурфактанта, а также температура подложки, которая ограничивает поток сурфактанта из-за десорбции Ga с поверхности. В частности, добавление потока Ga, равного потоку Al при температуре подложки 1150 °C не изменяет скорость роста, меняя при этом его кинетику. Такой подход позволяет повысить поверхностную подвижность адатомов и обеспечивает быстрый переход в режим 2D-роста. В гетероструктурах с двумерным электронным газом, выращенных с использованием сурфактанта была достигнута подвижность носителей до 2000 см2/В·с.

Тип: Article