Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

EPR, ESE and pulsed ENDOR study of nitrogen related centers in 4H-SiC wafers grown by different technologies

Kalabukhova E., Lukin S., Savchenko D., Mitchel W., Greulich-Weber S., Gerstmann U., Pöppl A., Hoentsch J., Rauls E., Rozentzveig Y., Mokhov E., Syväjärvi M., Yakimova R.

Дата публикации: 2007

Дата публикации в реестре: 2020-02-29T23:06:36Z

Аннотация:
Ключевые слова:
4H-SiC, EPR, ESE, Hall, Nitrogen, Pulse ENDOR, Si/C ratio

Тип: Conference Paper

Источник: SCOPUS02555476-2007-556557-SID38449105170

Другие версии документа

EPR, ESE and pulsed ENDOR study of nitrogen related centers in 4H-SiC wafers grown by different technologies

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core