Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

Interface defects of Al/GaAs(100) detected by Positron Annihilation Induced Auger Electron Spectroscopy (PAES)

Дата публикации: 2001

Дата публикации в реестре: 2020-02-29T23:17:44Z

Аннотация:
Ключевые слова:
Annihilation, Auger, Defect, Interface, Metal, Positrons, Semiconductor

Тип: Conference Paper

Источник: SCOPUS02555476-2001-363365-SID0035005499

Другие версии документа

Interface defects of Al/GaAs(100) detected by Positron Annihilation Induced Auger Electron Spectroscopy (PAES)

Связанные документы (рекомендация CORE)