Optically Addressable Silicon Vacancy-Related Spin Centers in Rhombic Silicon Carbide with High Breakdown Characteristics and ENDOR Evidence of Their Structure - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 082 141

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Optically Addressable Silicon Vacancy-Related Spin Centers in Rhombic Silicon Carbide with High Breakdown Characteristics and ENDOR Evidence of Their Structure

Soltamov V., Yavkin B., Tolmachev D., Babunts R., Badalyan A., Davydov V., Mokhov E., Proskuryakov I., Orlinskii S., Baranov P.

Дата публикации: 2015

Дата публикации в реестре: 2020-03-01T01:14:52Z

Аннотация:

Тип: Article

Источник: SCOPUS00319007-2015-115-24-SID84949662090

Другие версии документа

Optically Addressable Silicon Vacancy-Related Spin Centers in Rhombic Silicon Carbide with High Breakdown Characteristics and ENDOR Evidence of Their Structure

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

КФУ

ТГУ

Elpub

СФУ

Webpublishers

Индексация

BASE

WorldCat

OpenAIRE

EDS

core