Представлены результаты численного моделирования колебаний направления
намагниченности, возникающих за счет эффекта переноса спина в слоистой наноструктуре
CoFeB/Cu/CoFeB с планарной намагниченностью закрепленного слоя при протекании
электрического тока перпендикулярно плоскости структуры. Показано, что в такой
структуре возможна генерация колебаний намагниченности электрическим током как при
наличии, так и в отсутствие внешнего магнитного поля в зависимости от ориентации оси
легкого намагничивания свободного слоя. Установлены закономерности влияния плотности
тока и параметра магнитной диссипации на частоту колебаний намагниченности, а также
размагничивающего фактора на пороговую плотность тока генерации колебаний.