Формирование  золь-гель  методом  и  свойства  тонких  пленок танталата стронция висмута

Руденко, М. В.; Гапоненко, Н. В.; Литвинов, В. Г.; Мухин, Н. В.; Хорошко, Л. С.; Ермачихин, А. В.; Алтынников, А. Г.

Формирование золь-гель методом и свойства тонких пленок танталата стронция висмута

Руденко, М. В., Гапоненко, Н. В., Литвинов, В. Г., Мухин, Н. В., Хорошко, Л. С., Ермачихин, А. В., Алтынников, А. Г.

Дата публикации: 2015

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T06:54:33Z

Аннотация:

Приведены технология формирования золь-гель методом из уксуснокислых золей и результаты исследования электрофизических характеристик пленок танталата стронция висмута толщиной 240 нм.The formation technology by sol-gel based on acetic acid sols and the electrophysical characteristics examination results of the strontium tantalate thin films of 240 nm thick are represented.

Ключевые слова:
доклады БГУИР, золь-гель, танталат стронция висмута, сегнетоэлектрики

Тип: Article

Формирование золь-гель методом и свойства тонких пленок танталата стронция висмута

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация