Дата публикации: 2015

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T06:54:34Z

Аннотация:

Разработка сенсорных систем и исследование новых конструкционых решений, материалов и технологий для их получения является актуальной задачей. Транзистор с высокой подвижностью электронов находит все большее применение в таких системах. Выполнено приборно-технологическое моделирование характеристик транзисторов с высокой подвижностью электронов, изготовленных на основе AlGaN/GaN с использованием различных материалов подложки. Исследовано влияние процентного содержания Al и Ga в соединении AlхGaх-1N на характеристики рассматриваемого прибора.

Тип: Article