Рассмотрены электронные приборы, изготовленные на основе полупроводниковых соединений GaAs, GaN и SiC, которые отличаются от своих кремниевых аналогов сверхвысоким быстродействием и способностью устойчиво работать в более высоком диапазоне мощности и температуры. Предназначено для студентов второй ступени высшего образования (магистратуры).