Дата публикации: 2014

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T07:05:16Z

Аннотация:

В работе рассматривается новое направление связанное с механизмами пробоя полупроводниковых приборов. Применение ESD устройств позволяет моделировать физические процесыы термоактивационного пробоя биополярных и МОП структур. При этом, благодаря размещению ESD устройства на чипе с изучаемым прибором, появляется возможность задавать максимальные величины напряжений испытания без эффектов образования токовых шнуров.

Тип: Article

Другие версии документа

Физическое моделирование термоактивационного пробоя в полупроводниковых приборах