Рассчитаны ВАХ, пороговое напряжение переключения и сопротивление элемента резистивной памяти (RRAM) в зависимости от сокрости нарастания внешнего смещения и рабочей температуры. Предложенная аналитическая модель адаптирована для использования в пакете самотехнического моделирования SPICE.
