Разработка научных основ технологии темплетных наноструктур интегральных оптоэлектронных элементов на III-нитридах: отчет о НИР (заключ.)

Лабунов, В. А.; Горох, Г. Г.; Сурганов, А. В.; Соловей, Д. В.

Разработка научных основ технологии темплетных наноструктур интегральных оптоэлектронных элементов на III-нитридах: отчет о НИР (заключ.)

Лабунов, В. А., Горох, Г. Г., Сурганов, А. В., Соловей, Д. В.

Дата публикации: 2013

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T07:06:30Z

Аннотация:

Исследованы методы управляемого синтеза диэлектрических темплетов с контролируемой морфологией и микрогеометрией пористой структуры АОА. Изучено влияние условий анодирования на структурные параметры АОА. Исследована микроструктура и свойства матриц АОА с синтезированными в них наночастицами III – нитридов. Установлена взаимосвязь оптоэлектронных характеристик созданных наносистем и условий их формирования.

Ключевые слова:
отчеты о НИР, анодные оксидные пленки, спектрально-оптические характеристики, нитрид галлия, периодические наноструктуры

Тип: Technical Report

Разработка научных основ технологии темплетных наноструктур интегральных оптоэлектронных элементов на III-нитридах: отчет о НИР (заключ.)

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация