Ferroelectric properties of niobium-doped strontium–bismuth tantalate

Golosov, D. A.; Zavadski, S. M.; Кolos, V. V.; Turtsevich, A. S.

Ferroelectric properties of niobium-doped strontium–bismuth tantalate

Golosov, D. A., Zavadski, S. M., Кolos, V. V., Turtsevich, A. S.

Дата публикации: 2016

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T07:07:05Z

Аннотация:

Исследованы характеристики сегнетоэлектрических тонких пленок танталата стронция-висмута (SBT) и легированного ниобием танталата стронция-висмута (SBTN), нанесенных методом высокочастотного магнетронного распыления на подложки Pt/TiO2/SiO2/Si. Для формирования структуры сегнетоэлектрика нанесенные пленки подвергались последующему отжигу при температуре 970−1070K в атмосфере O2. The characteristics of ferroelectric thin films of strontium bismuth tantalate (SBT) and niobium-doped strontium bismuth tantalate (SBTN) deposited by radio-frequency (RF) magnetron sputtering on Pt/TiO2/SiO2/Si substrates were investigated. For the formation of the structure of the ferroelectric material, the deposited films were subjected to a subsequent annealing at temperatures of 970–1070 K in an O2 atmo-sphere.

Ключевые слова:
публикации ученых, танталат стронций-висмут (SBT), ВЧ магнетронное распыление, сегнетоэлектрические тонкие пленки, ferroelectric thin films, strontium bismuth tantalate (SBT)

Тип: Article

Ferroelectric properties of niobium-doped strontium–bismuth tantalate

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация