Электронная структура и оптические свойства двумерных кристаллов SnS

Шапошников, В. Л.; Кривошеева, А. В.; Борисенко, В. Е.

Электронная структура и оптические свойства двумерных кристаллов SnS

Шапошников, В. Л., Кривошеева, А. В., Борисенко, В. Е.

Дата публикации: 2016

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T07:07:06Z

Аннотация:

Теоретическим моделированием определена электронная структура и оптические свойства двумерных кристаллов сульфида олова (SnS). Рассмотрены низкотемпературная α-SnS и высокотемпературная β-SnS фазы. Обнаружено, что все структуры являются полупроводниками и при увеличении толщины кристаллов характеризуются уменьшением ширины запрещенной зоны до значений, типичных для объемного материала. Рассчитанные значения коэффициентов отражения меньше значений в объемных материалах, а коэффициент поглощения света сопоставим с характеристиками объемного SnS и GaAs. The electronic band spectra and optical properties of 2D crystals of tin sulfide (SnS) were investigated by means of ab initio simulation. Low-temperature (α-SnS) and high-temperature (β-SnS) phases in the form of 2D crystals were considered. All compounds were found to be semiconductors. Their band gaps decrease upon increasing of the number of monolayers approaching to the values of the bulk materials. Calculated reflection coefficients of structures studied are lower than in bulk materials, and the light absorption coefficient has the same order of magnitude as in bulk SnS and GaAs.