Моделирование распределения температуры в токоведущих элементах интегральных микросхем в результате воздействия электростатических разрядов

Пискун, Г. А.; Алексеев, В. Ф.; Ланин, В. Л.; Левин, В. Г.

Моделирование распределения температуры в токоведущих элементах интегральных микросхем в результате воздействия электростатических разрядов

Пискун, Г. А., Алексеев, В. Ф., Ланин, В. Л., Левин, В. Г.

Дата публикации: 2014

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T07:08:13Z

Аннотация:

Экспериментально исследован принцип распространения тепловых полей в интегральных микросхемах в результате воздействия электростатических разрядов. Предложена численная модель распределения температуры в токоведущих элементах интегральных микросхем вследствие контактного воздействия разряда статического электричества, основанная на электропроводности и Фурье-анализе их теплопроводности. Разработанная модель позволяет выявить зависимость температуры от напряжения разряда и определить наиболее уяз- вимую токопроводящую область за счет обнаружения локальных зон расплавления.

Ключевые слова:
доклады БГУИР, неразрушающий контроль, электростатический разряд, численная модель

Тип: Article

Моделирование распределения температуры в токоведущих элементах интегральных микросхем в результате воздействия электростатических разрядов

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация