В настоящее время одним из перспективных методов создания светоизлучающих и фоточувствительных устройств
является использование гетероструктур на основе материалов AIIIBV. Приборное применение таких структур может быть
разнообразно: полупроводниковые гетеролазеры и светодиоды, в том числе и создание излучающих структур полного
видимого спектра. Так же данные светодиоды могут быть применены при создании микродиодов для телевизоров и дисплеев.
