В данной работе приводятся результаты моделирования влияния солнечного света на скорость генерации носителей заряда и
вольт-амперную характеристику гетероструктуры диоксид титана/кремний. Моделирование проводилось с использованием программы
PC1D 5.9. Исследовалось влияние длины волны солнечногоизлучения на выходной фототок гетероструктуры n-TiO2/p-Si.