Определение дефектности приповерхностного слоя полупроводниковых гетероструктур на основе МЛЭ HgCdTe при измерении адмиттанса МДП-структур

Войцеховский, Александр Васильевич; Дзядух, Станислав Михайлович; Сидоров, Георгий Юрьевич; Варавин, Василий Семенович; Васильев, Владимир Васильевич; Дворецкий, Сергей Алексеевич; Михайлов, Николай Николаевич (физик); Якушев, Максим Витальевич; Несмелов, Сергей Николаевич

Определение дефектности приповерхностного слоя полупроводниковых гетероструктур на основе МЛЭ HgCdTe при измерении адмиттанса МДП-структур

Войцеховский, Александр Васильевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Сидоров, Георгий Юрьевич, Варавин, Василий Семенович, Васильев, Владимир Васильевич, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич (физик), Якушев, Максим Витальевич, Несмелов, Сергей Николаевич

Дата публикации: 2017

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T18:26:40Z

Ключевые слова:
молекулярно-лучевая эпитаксия, МДП-структуры, электрофизические исследования, дефекты, приповерхностные слои, полупроводниковые гетероструктуры, адмиттанс

Тип: статьи в сборниках

Источник: Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов", посвященная памяти профессора С. С. Горелика ; Вторая Международная школа молодых ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения", Москва, 2-5 октября 2017 г. : тезисы докладов. М., 2017. С. 58

Определение дефектности приповерхностного слоя полупроводниковых гетероструктур на основе МЛЭ HgCdTe при измерении адмиттанса МДП-структур

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация