Direct measurement of surface stress during Bi-mediated Ge growth on Si - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Direct measurement of surface stress during Bi-mediated Ge growth on Si

Yamazaki, Tatsuya, Yamaguchi, Kenji, Shamoto, Shin-ichi, Filimonov, Sergey N., Suemitsu, Maki, Asaoka, Hidehito

Дата публикации: 2013

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T18:29:34Z

Ключевые слова:
молекулярно-лучевая эпитаксия, поверхностное напряжение

Тип: статьи в журналах

Источник: Surface science. 2013. Vol. 609. P. 157-160

Связанные документы (рекомендация CORE)