Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe

Войцеховский, Александр Васильевич; Дзядух, Станислав Михайлович; Сидоров, Георгий Юрьевич; Варавин, Василий Семенович; Васильев, Владимир Васильевич; Дворецкий, Сергей Алексеевич; Михайлов, Николай Николаевич (физик); Якушев, Максим Витальевич; Несмелов, Сергей Николаевич

Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe

Войцеховский, Александр Васильевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Сидоров, Георгий Юрьевич, Варавин, Василий Семенович, Васильев, Владимир Васильевич, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич (физик), Якушев, Максим Витальевич, Несмелов, Сергей Николаевич

Дата публикации: 2017

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:15:39Z

Аннотация:

Использована специальная методика измерений электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe, позволяющая исключить влияние гистерезисных явлений на результаты измерения первой производной емкости по напряжению. Предложены методы определения спектров поверхностных состояний в МДП-структурах на основе HgCdTe.

Ключевые слова:
молекулярно-лучевая эпитаксия, МДП-структуры, теллурид кадмия ртути, электрофизические исследования, приповерхностные слои, полупроводниковые гетероструктуры

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 202-205