Концентрация основных носителей заряда в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n(p)-HgCdTe, определенная из емкостных измерений

Несмелов, Сергей Николаевич; Войцеховский, Александр Васильевич; Дзядух, Станислав Михайлович

Концентрация основных носителей заряда в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n(p)-HgCdTe, определенная из емкостных измерений

Несмелов, Сергей Николаевич, Войцеховский, Александр Васильевич, Дзядух, Станислав Михайлович

Дата публикации: 2017

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:15:48Z

Аннотация:

Определены значения концентраций основных носителей заряда в приповерхностных варизонных слоях полупроводника из измерений адмиттанса МДП-структур на основе n ( p )-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что для p- HgCdTe концентрация дырок в варизонном слое близка к интегральной концентрации, определенной методом Холла. Для n -HgCdTe концентрация электронов в варизонном слое возрастает при увеличении градиента состава в приповерхностном широкозонном слое, что может быть связано с генерацией собственных дефектов донорного типа.

Ключевые слова:
молекулярно-лучевая эпитаксия, варизонные слои, узкозонные полупроводники, инфракрасные детекторы, эпитаксиальные пленки, дырки в полупроводниках

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 198-201