Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения

Войцеховский, Александр Васильевич, Горн, Дмитрий Игоревич

Дата публикации: 2015

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:21:42Z

Ключевые слова:
квантовые ямы, полупроводники, светодиоды, нитрид галлия

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 271-273

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

КФУ
ТГУ
Elpub
СФУ
Webpublishers

Индексация

BASE
WorldCat
OpenAIRE
EDS
core