Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn

Тимофеев, Вячеслав Алексеевич; Никифоров, Александр Иванович; Машанов, Владимир Иванович; Туктамышев, Артур Раисович; Лошкарев, Иван Дмитриевич; Коханенко, Андрей Павлович

Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn

Тимофеев, Вячеслав Алексеевич, Никифоров, Александр Иванович, Машанов, Владимир Иванович, Туктамышев, Артур Раисович, Лошкарев, Иван Дмитриевич, Коханенко, Андрей Павлович

Дата публикации: 2015

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:22:01Z

Аннотация:

Представлены результаты исследований по синтезу гетероструктур на основе материалов Ge–Si–Sn методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Формирование эпитаксиальных пленок контролировалось с помощью дифракции быстрых электронов в процессе роста структур. Выращены пленки с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn при содержании Sn от 2 до 10 % в области температур 150–350 °С. Напряженное состояние, структура и параметр решетки изучены методом рентгеновской дифрактометрии с использованием кривых качания и карт обратного пространства. Получена деформация растяжения 0.86 % в пленке

Ключевые слова:
молекулярно-лучевая эпитаксия, эпитаксиальные пленки, гетероструктуры, тонкие пленки, германий

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 81-85