Материалов:
1 082 141

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

Formation of Ge/Si nanoscale structures at different growth conditions by molecular beam epitaxy

Дата публикации: 2015

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:23:13Z

Аннотация:

Тип: статьи в журналах

Источник: Journal of nanoelectronics and optoelectronics. 2015. Vol. 10, № 1. P. 99-103


Связанные документы (рекомендация CORE)