Гистерезисные явления в МДП-структурах на основе варизонного МЛЭ HgCdTe с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4

Войцеховский, Александр Васильевич; Несмелов, Сергей Николаевич; Дзядух, Станислав Михайлович

Гистерезисные явления в МДП-структурах на основе варизонного МЛЭ HgCdTe с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4

Войцеховский, Александр Васильевич, Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович

Дата публикации: 2015

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:25:56Z

Аннотация:

Проведены исследования вольт-фарадных характеристик (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного МЛЭ Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.23) с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4 при изменении направления развертки напряжения. Выявлены особенности ВФХ при прямой и обратной развертке напряжения для МДП-структур на основе n-HgCdTe и p-HgCdTe. Полученные результаты свидетельствуют о важной роли в гистерезисных явлениях захвата электронов на состояния переходного слоя между полупроводником HgCdTe и диэлектриком SiO2. Установлено, что при нанесении диэлектрика вблизи границы раздела образуются примесно-дефектные центры донорного типа, плотность состояний которых в переходном слое составляет (0.6–2.1)·1011 см–2.

Ключевые слова:
МДП-структуры, молекулярно-лучевая эпитаксия, теллурид кадмия ртути, варизонные слои, вольт-фарадные характеристики

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 4. С. 97-106