Формирование морфологии на поверхности n-GaN методом жидкостного химического травления

Засухин, Дмитрий Иннокентиевич; Каримбаев, Дамир Джамаллитдинович; Коханенко, Андрей Павлович

Формирование морфологии на поверхности n-GaN методом жидкостного химического травления

Засухин, Дмитрий Иннокентиевич, Каримбаев, Дамир Джамаллитдинович, Коханенко, Андрей Павлович

Дата публикации: 2015

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:33:09Z

Аннотация:

Увеличение внешнего квантового выхода является ключевой проблемой изготовления светодиодных структур. Для решения данной проблемы используется метод по созданию сложной морфологии на светоизлучающей поверхности. В данной работе предлагается использование метода жидкостного химического травления в смешанном растворе гидроксида калия KOH и пероксодисульфата калия K2S2O8 для формирования морфологии на поверхности n-GaN, после лазерного отделения сапфировой подложки. В результате на поверхности формируются конусы размером 1–1.5 мкм. Определена зависимость морфологии поверхности от концентрации раствора и времени травления.

Ключевые слова:
шероховатость поверхности, химическое травление, нитрид галлия, морфология поверхности

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 10/3. С. 147-149