Представлены результаты исследований влияния объемного наносекундного разряда на электронные свойства приповерхностной области эпитаксиальных пленок КРТ. Обнаружено, что распределение поверхностного потенциала и, как следствие, состава отдельных кристаллитов, образующих V-дефекты, имеют сложный характер и содержат области с повышенным содержанием, как ртути, так и кадмия. Обработка поверхности объемным разрядом приводит к уменьшению содержания ртути в отдельных кристаллитах по отношению к эпитаксиальной пленке КРТ.