Значение высоты барьера Шоттки и расчет ВАХ диодов Al/n-(SiC)1-x(AlN)x и гетеропереходов на основе 4H-SiC

Санкин, Александр Викторович; Антонов, Владимир Феохарович; Филипова, Светлана Валерьевна; Митюгова, Ольга Александровна; Алтухов, Виктор Иванович

Значение высоты барьера Шоттки и расчет ВАХ диодов Al/n-(SiC)1-x(AlN)x и гетеропереходов на основе 4H-SiC

Санкин, Александр Викторович, Антонов, Владимир Феохарович, Филипова, Светлана Валерьевна, Митюгова, Ольга Александровна, Алтухов, Виктор Иванович

Дата публикации: 2019

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:37:45Z

Аннотация:

Получены значения высот барьеров Шоттки в системах М/ n -(SiC)1- x (AlN) x в предположении высокой плотности поверхностных состояний в области контакта металл (М) и твердый раствор SiC-AlN. Рассчитаны вольтамперные характеристики (ВАХ) диодов Al/ n -(SiC)1- x (AlN) x . Показано, что для этих диодов при умеренных концентрациях поверхностных состояний ( с ≈ 4-8) величина барьера Шоттки Ф xB ( с ) имеет значение порядка потенциального барьера гетероперехода Ф xg , с чем связано известное подобие в поведении соответствующих ВАХ. Проанализирована роль факторов идеальности в поведении ВАХ. Полученные значения высот барьеров Шоттки согласуются с данными опытов.

Ключевые слова:
Шоттки барьер, твердые растворы, вольт-амперные характеристики, диоды, эмиссионные токи

Тип: статьи в журналах

Права: open access

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 9. С. 113-116