Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Войцеховский, Александр Васильевич; Дзядух, Станислав Михайлович; Варавин, Василий Семенович; Дворецкий, Сергей Алексеевич; Михайлов, Николай Николаевич (физик); Якушев, Максим Витальевич; Сидоров, Юрий Георгиевич; Сидоров, Георгий Юрьевич; Несмелов, Сергей Николаевич

Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Войцеховский, Александр Васильевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Варавин, Василий Семенович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич (физик), Якушев, Максим Витальевич, Сидоров, Юрий Георгиевич, Сидоров, Георгий Юрьевич, Несмелов, Сергей Николаевич

Дата публикации: 2015

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:39:27Z

Ключевые слова:
теллурид кадмия ртути, МДП-структуры, молекулярно-лучевая эпитаксия

Тип: статьи в сборниках

Источник: Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2015. С. 135

Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Связанные документы (рекомендация CORE)

Партнеры

Индексация