Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях CdXHg1–XTe - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

расширенный поиск

Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях CdXHg1–XTe

Войцеховский, Александр Васильевич, Никитин, Михаил Степанович, Талипов, Нияз Хатимович

Дата публикации: 2013

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:44:38Z

Ключевые слова:
гетероэпитаксиальные слои, теллурид кадмия ртути, молекулярно-лучевая эпитаксия, фотодиоды, ионная имплантация

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 5. С. 104-109

Связанные документы (рекомендация CORE)