Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN - «Национальный агрегатор открытых репозиториев российских университетов» (НОРА)

Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
596 024

расширенный поиск

Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN

Мармалюк, Александр Анатольевич, Курешов, Владимир Александрович, Мазалов, Александр Владимирович, Сабитов, Дамир Равильевич, Войцеховский, Александр Васильевич, Коханенко, Андрей Павлович, Романов, Иван Сергеевич

Дата публикации: 2012

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T19:54:15Z

Ключевые слова:
нитрид галлия, гетероструктуры, светодиоды, электролюминесценция, фотолюминсценция

Тип: статьи в журналах

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 56-57

Связанные документы (рекомендация CORE)