Дата публикации: 2019

Дата публикации в реестре: 2020-03-03T20:00:16Z

Аннотация:

Впервые экспериментально исследован адмиттанс nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, в широком диапазоне частот и температур. Состав CdTe в барьерном слое исследованных образцов изменялся от от 0.74 до 0.83, а толщина этого слоя – от 210 до 300 нм. Экспериментальные частотные зависимости адмиттанса nBn-структур хорошо согласуются с результатами расчета при использовании метода эквивалентных схем. Предложенная эквивалентная схема состоит из двух последовательно соединенных цепочек, каждая из которых содержит параллельно включенные емкость и сопротивление. Изучено изменение значений элементов эквивалентной схемы при нагреве от 9 до 300 К, а также при подаче напряжения смещения. Впервые показано, что освещение nBn-структур на основе HgCdTe излучением с длиной волны 0.91 мкм вызывает релаксацию значений параметров эквивалентной схемы в течение сотен минут после выключения подсветки. Обсуждаются механизмы, ответственные за элементы эквивалентной схемы, а также особенности зависимостей адмиттанса при различных параметрах барьерных слоев.

Тип: статьи в журналах

Права: open access

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 5. С. 77-85