Методом резерфордовского обратного рассеяния ионов гелия в сочетании с компьютерным моделированием определено, что при осаждении медного покрытия на алюминий методом динамического атомного перемешивания, в котором в качестве ассистирующих ионов использовались ионы Аr + с энергией 6 кэВ и интегральными потоками (0,7–1,6) ? 1016 ион/cм2 , формируется медная пленка толщиной ?10–15 нм. Установлено, что толщина сформированного покрытия зависит от параметра I / A (отношение числа I ассистирующих ионов к числу A атомов осаждаемого покрытия). При расчете толщины пленки необходимо учитывать помимо распыления ассистирующими ионами атомов покрытия, также распыление атомов подложки и атомов сопутствующих примесей.