Одним из эффективных средств повышения надежности кристаллов полупроводниковых запоминающих устройств (ЗУ) являются методы, основанные на реализации принципов структурной и временной избыточности. Избыточные схемы обеспечивают обнаружение и исправление наиболее вероятных для данного ЗУ информационных ошибок, возникающих из-за отказов или сбоев (кратковременных отказов) в ЗУ.