Методом резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием (РОРК) исследована энергетическая зависимость развития повреждений в кремнии при комнатной температуре при ионно-ассистируемом нанесении Со, Мо и W в условиях саморадиации. Установлена зависимость повреждения структуры кремния от энергии облучающих ионов Со{+}, Мо{+} и W{+}. Концентрация смещенных атомов растет с энергией ионов, однако уровень деканалирования в области за пиком повреждений на спектрах РОРК уменьшается с увеличением энергии ионов в системах Co/Si и Mo/Si и увеличивается в системе W/Si.