Материалов:
1 005 012

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

Моделирование одиночного сбоя в МОП-транзисторе

Дата публикации: 2014

Дата публикации в реестре: 2020-03-13T11:27:27Z

Аннотация:

С развитием полупроводниковых технологий, когда постоянно уменьшаются размеры и напряжение питания интегральных микросхем (ИМС),а тактовая частота растет, задача повышения радиационной стойкости становится важной для производителей коммерческой микроэлектроники.

Тип: Article

Другие версии документа

Моделирование одиночного сбоя в МОП-транзисторе

Связанные документы (рекомендация CORE)