КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ РОСТА СУБМИКРОННЫХ ОСТРОВКОВЫХ ПЛЕНОК С УЧЕТОМ АТОМИСТИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ ТВЕРДОЙ ПОВЕРХНОСТИ

Бембель, А.Г.; Самсонов, В.М.; Пушкарь, М.Ю.; Самсонов, М.В.

КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ РОСТА СУБМИКРОННЫХ ОСТРОВКОВЫХ ПЛЕНОК С УЧЕТОМ АТОМИСТИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ ТВЕРДОЙ ПОВЕРХНОСТИ

Бембель, А.Г., Самсонов, В.М., Пушкарь, М.Ю., Самсонов, М.В.

Дата публикации: 2009

Дата публикации в реестре: 2020-03-18T12:32:06Z

Аннотация:

Проведено сравнительное молекулярно-динамическое исследование закономерностей и механизмов эпитаксиального роста субмикронных леннард-джонсовских островковых пленок на континуальных подложках и атомистических поверхностях. Установлено, что переход от континуальной подложки к подложке с ГПУ структурой способствует дифференциации локальных островков, диаметр которых примерно в 5 раз меньше диаметра всего островка. Пространственное несоответствие между решетками подложки и растущей гетероструктуры приводит к более выраженной дифференциации локальных островков и увеличению их высоты.

Ключевые слова:
532.6 Поверхностные явления. Поверхностное натяжение. Капиллярность, 541.8 Растворы и растворимость. Общие вопросы

Тип: Статья