С использованием метода молекулярной динамики и потенциала сильной связи исследовалось растекание нанокапель расплава свинца по грани (100) монокристалла меди. Построены кинетические зависимости для радиусов четырех нижних монослоев. В отличие от работы других авторов, в которой растекание свинца по меди моделировалось с использованием молекулярной динамики и метода погруженного атома, наши результаты демонстрируют явление псевдочастичного смачивания при растекании свинца по указанной выше грани монокристалла меди. Вместе с тем, полученные нами результаты согласуются с имеющимися экспериментальными данными по смачиванию поверхности меди свинцом в макроскопических системах и нашими собственными оценками равновесного краевого угла смачивания с использованием уравнения Юнга