Оксиды металлов являются перспективными материалами для ряда современных полупроводниковых технологий. Один из возможных вариантов управления свойствами оксидной фазы – использование в качестве подложки бинарных металлических сплавов. Cплавы системы Ag-Zn содержат от 5 до 30 ат. % цинка (альфа-фаза). Формирование оксида осуществлялось потенциостатически в 0,1 М KOH при соотверствущей развертке частоты и снятия импедансных характеристик.