Дата публикации: 2016-12

Дата публикации в реестре: 2020-03-31T23:53:09Z

Аннотация:

Методом просвечивающей электронной микроскопии исследовали кристаллы ZnS, выращенные из газовой фазы, и эпитаксиальные структуры ZnS/(001)GaAs, выращенные методом металл-органической паро-фазовой эпитаксии (MOVPE), после облучения in situ в электронном микроскопе с энергией электронов 400 keV и интенсивностью (1 - 4)∙1019 e/cm^2s. Показано, что при облучении происходит образование мелких дислокационных петель с размерами 2.5 - 45 nm и плотностью 1.4∙10^11 cm^-2, а также пор и выделений новой фазы, размерами ≤10 nm, Выделения могут быть идентифицированы из анализа муарового контраста как ZnO и ZnO2

Тип: Journal Article