Импульсная катодо- и рентгенолюминесценция чистых и легированных кристаллов селенида цинка

Тарасенко, Виктор Федотович; Ерофеев, Михаил Владимирович; Вильчинская, Светлана Сергеевна; Олешко, Владимир Иванович

Импульсная катодо- и рентгенолюминесценция чистых и легированных кристаллов селенида цинка

Тарасенко, Виктор Федотович, Ерофеев, Михаил Владимирович, Вильчинская, Светлана Сергеевна, Олешко, Владимир Иванович

Дата публикации: 2020

Дата публикации в реестре: 2020-04-01T00:30:16Z

Аннотация:

Проведены исследования амплитудных и спектрально-кинетических характеристик свечения «чистых» (без специально введенных примесей) кристаллов ZnSe и кристаллов ZnSe, легированных Ga, Тe и Sm, при возбуждении электронным пучком и импульсным рентгеновским излучением. Установлено, что в спектрах импульсной катодолюминесценции «чистых» кристаллов ZnSe при 300 К регистрируется одна краевая полоса (λ ~490 нм, τ ~ 20 нс). В спектрах катодолюминесценции легированных кристаллов наблюдаются две полосы – краевая (λ ~ 477 нм, τ ~ 20 нс) и полоса с максимумом на λ ~ 600 нм (τ ~ 5 мкс), соотношение интенсивностей которых зависит от плотности энергии электронного пучка и геометрии регистрации спектра. В спектрах рентгенолюминесценции легированных кристаллов регистрируется одна полоса с максимумом на λ ~ 600 нм, интенсивность которой зависит от типа легирующей примеси. Обсуждается возможность применения «чистых» и легированных кристаллов селенида цинка для создания датчиков амплитудно-временных характеристик пучков электронов и рентгеновского излучения с энергией в десятки-сотни килоэлектронвольт.

Ключевые слова:
селенид цинка, катодолюминесценция кристаллов, легированные кристаллы, спектры люминесценции кристаллов, Вавилова-Черенкова излучение, датчики

Тип: статьи в журналах

Права: open access

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 117-122