Дата публикации: 2020

Дата публикации в реестре: 2020-05-12T11:50:24Z

Аннотация:

Исследуется механизм рассеяния носителей заряда на ионизированных атомах примеси в гетероструктуре InAs/AlSb с двумя заполненными подзонами размерного квантования. Цель статьи – разработка теории, которая в полной мере описывает квантово-механические процессы в изучаемой структуре. Проведённый расчет в рамках предлагаемого алгоритма транспортного времени показал, что разработанная теория с высокой точностью описывает механизм рассеяния двумерных носителей на ионах донорной примеси в активном слое InAs. Установлено, что время жизни, ограничивающее подвижность двумерных носителей, при рассеянии на ионах примеси порядка 10–12 с.

Тип: статьи в журналах

Права: open access

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 3. С. 88-96