Структура тонких пленок диоксида олова, формируемых методом дуального магнетронного распыления / С. В. Зайцев [и др.] // Вестник БГТУ им. В. Г. Шухова. - 2015. - № 5. - С. 228-231.
Приведены экспериментальные результаты синтеза тонких пленок (толщиной до 1 мкм) диоксида олова (SnO2), формируемые методом дуального магнетронного распыления металлических ми-
шеней в контролируемой атмосфере Ar+O2. Пленки, нанесенные на подложки из стекла и сапфира,
исследовались методами рентгенофазового анализа и сканирующей электронной микроскопии.
Установлено, что покрытия имеют столбчатую кристаллическую структуру с решеткой типа рутила. Проведен анализ изменения давления в вакуумной камере на скорости осаждения и структуру
тонких пленок диоксида олова.