Подбарьерный и надбарьерный перенос электронов через многослойные полупроводниковые структуры

Расулов, Вохоб Рустамович; Мамадалиева, Наргиза Зокиржон кизи; Султанов, Равшан Рустамович; Расулов, Рустам Явкачович

Подбарьерный и надбарьерный перенос электронов через многослойные полупроводниковые структуры

Расулов, Вохоб Рустамович, Мамадалиева, Наргиза Зокиржон кизи, Султанов, Равшан Рустамович, Расулов, Рустам Явкачович

Дата публикации: 2020

Дата публикации в реестре: 2020-05-29T18:34:00Z

Аннотация:

Рассчитаны коэффициенты прозрачности полупроводниковой структуры, состоящей из чередующихся асимметричных потенциальных барьеров и ям, где учтено условие Бастарда. Показано, что в структуре наблюдается осцилляция коэффициента прохождения электронов в зависимости от их энергии, которая обусловлена интерференцией волн де Бройля, идущих к барьеру и отраженных от потенциального барьера. Проанализированы электронные состояния многослойной полупроводниковой структуры, состоящей из чередующихся потенциальных ям и барьеров.

Ключевые слова:
полупроводники, многослойные структуры, потенциальные ямы, потенциальные барьеры, волновая функция электрона, электроны, численное моделирование, энергия электронов, коэффициент пропускания

Тип: статьи в журналах

Права: open access

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 4. С. 8-15