Дефектоскопия монокристаллов ZnGeP2 излучением лазера на парах стронция

Подзывалов, Сергей Николаевич; Солдатов, Анатолий Николаевич; Шумейко, Алексей Семенович; Юдин, Николай Александрович; Юдин, Николай Николаевич; Юрин, Владимир Юрьевич; Грибенюков, Александр Иванович

Дефектоскопия монокристаллов ZnGeP2 излучением лазера на парах стронция

Подзывалов, Сергей Николаевич, Солдатов, Анатолий Николаевич, Шумейко, Алексей Семенович, Юдин, Николай Александрович, Юдин, Николай Николаевич, Юрин, Владимир Юрьевич, Грибенюков, Александр Иванович

Дата публикации: 2018

Дата публикации в реестре: 2020-07-05T11:55:46Z

Аннотация:

Описан модифицированный метод оптический дефектоскопии монокристаллических пластин ZnGeP2 с использованием излучения лазера на парах стронция (λ = 1.03 и 1.09 мкм), основанный на получении теневой картины внутренних дефектов пластин, вырезанных параллельно плоскости (100). Показано, что применение излучения лазера на парах стронция с длиной волны 6.45 мкм позволяет исследовать неоднородности в крупноразмерных образцах ZnGeP2. Рассмотрена возможность создания проекционного дефектоскопа для мониторинга развития процесса пробоя монокристалла ZnGeP2.

Ключевые слова:
лазеры на самоограниченных переходах, дефектоскопы, монокристаллы

Тип: статьи в журналах

Источник: Квантовая электроника. 2018. Т. 48, № 5. С. 491-494