Дифракция быстрых электронов при эпитаксиальном росте Ge, GeSi на подложках Si(100), Si(111): выпускная бакалаврская работа по направлению подготовки: 12.03.05 - Лазерная техника и лазерные технологии

Связанные документы (рекомендация CORE)