Анодные пленки Gа2O3, полученные окислением пластин n-GaAs в гальваностатическом режиме

Алмаев, Алексей Викторович; Калыгина, Вера Михайловна; Таллер, Елена Викторовна; Щербаков, Петр Сергеевич; Петрова, Юлианна Сергеевна

Анодные пленки Gа2O3, полученные окислением пластин n-GaAs в гальваностатическом режиме

Алмаев, Алексей Викторович, Калыгина, Вера Михайловна, Таллер, Елена Викторовна, Щербаков, Петр Сергеевич, Петрова, Юлианна Сергеевна

Дата публикации: 2020

Дата публикации в реестре: 2020-08-03T14:13:08Z

Аннотация:

Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/ n -GaAs с анодными пленками оксида галлия, полученными окислением n -GaAs в гальваностатическом режиме. Пленки оксида галлия без термического отжига чувствительны к УФ-излучению с λ = 222 нм только при обратных смещениях. Термический отжиг исследуемых пленок не меняет механизма протекания тока в структурах, при этом чувствительность структур Ga2O3/ n -GaAs к УФ-излучению повышается на порядок.

Ключевые слова:
термический отжиг, УФ-излучение, пленки оксида галлия

Тип: статьи в журналах

Права: open access

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 5. С. 154-158