Материалов:
1 082 141

Репозиториев:
30

Авторов:
761 409

Перенос электрического заряда и теплоты в кристаллах SnTe c различными концентрациями вакансий в подрешетке олова

Дата публикации: 2020

Дата публикации в реестре: 2020-10-01T12:54:18Z

Аннотация:

Исследованы электропроводность σ, коэффициенты термоЭДС α и теплопроводности χ кристаллов SnTe со сверхстехиометрическим Sn до 1.0 ат. % в интервале 90–300 К. Определены электронные и решеточные составляющие теплопроводности, а также тепловое сопротивление, созданное структурными вакансиями. Показано, что температурные зависимости σ и α образцов хорошо объясняются моделью двух валентных зон, а теплопроводности – фонон-фононным рассеянием. Избыточные атомы Sn до 0.05 ат. %, создавая в кристаллах SnTe донорные рассеивающие фононы центры, снижают χ и σ образцов, а выше 0.05 ат. %, заполняя вакансии, увеличивают эти параметры.

Тип: статьи в журналах

Права: open access

Источник: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 7. С. 120-124


Связанные документы (рекомендация CORE)