Исследованы электропроводность σ, коэффициенты термоЭДС α и теплопроводности χ кристаллов SnTe со сверхстехиометрическим Sn до 1.0 ат. % в интервале 90–300 К. Определены электронные и решеточные составляющие теплопроводности, а также тепловое сопротивление, созданное структурными вакансиями. Показано, что температурные зависимости σ и α образцов хорошо объясняются моделью двух валентных зон, а теплопроводности – фонон-фононным рассеянием. Избыточные атомы Sn до 0.05 ат. %, создавая в кристаллах SnTe донорные рассеивающие фононы центры, снижают χ и σ образцов, а выше 0.05 ат. %, заполняя вакансии, увеличивают эти параметры.