В настоящей работе проведена оценка влияния режимов искрового плазменного спекания на плотность керамики на основе SiC-AlN с добавкой Y[2]O[3]. Представленные результаты показывают, что спарк–плазменным методом из порошка микронной фракции могут быть получены высокоплотные образцы керамики на основе карбида кремния с высокой (до 100%) плотностью, что открывает перспективы широкого применения метода SPS для экономичного производства высококачественных керамических изделий из карбида кремния заданного состава с прогнозируемыми свойствами.