Для модельных параметров полупроводниковых квантоворазмерных структур проведен численный расчет процесса сверхизлучения (СИ), который развивается в субмикронном планарном слое инверсной среды из инициирующего излучения спонтанной люминесценции на частоте резонанса, соответствующей экситонным переходам. При моделировании учитывается возможность диполь-диполъного взаимодействия, сделана оценка его влияния на характеристики импульса СИ. Получено аналитическое выражение для огибающей импульса СИ.
